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金剛石鎳粉粉體電阻率測試儀(四探針法)廠家電話

型 號BEST-300C

更新時間2024-11-22

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報價

產(chǎn)品描述:金剛石鎳粉粉體電阻率測試儀(四探針法)廠家廣泛用于:覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試。

產(chǎn)品概述

 

四探針方阻電阻率測試儀

廣泛用于:覆蓋膜;導電高分子膜,高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層,電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料,其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

 

硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件,導電薄膜(ITO導電膜玻璃等),金屬膜,導電漆膜,蒸發(fā)鋁膜,PCB銅箔膜,EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導電性油漆,導電性糊狀物,導電性塑料,導電性橡膠,導電性薄膜,金屬薄膜,抗靜電材料, EMI 防護材料,導電性纖維,導電性陶瓷等

 

按照硅片電阻率測量的標準(ASTM F84)及國家標準設計制造該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準,本機配置232電腦接口及USB兩種接口,本機結(jié)合采用范德堡測量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應、探針不等距和機械游移等外部因素對測量結(jié)果的影響及誤差,比市場上其他普通的四探針測試方法更加完善和進步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測量,更加準確.

 

本儀器本儀器采用四探針單電測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程,無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便,運輸安全、使用方便;選配:配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表;本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

 

參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍:10-5~2×105Ω/□

2.電阻率范圍:10-6~2×106Ω-cm

3.測試電流范圍:0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA

4.電流精度:±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度:≤0.3%

6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率

7.測試方式: 普通單電測量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗:<30W

9.整機不確定性誤差: ≤4%(標準樣片結(jié)果)

10.選購功能: 選購1.pc軟件;選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測試平臺

11.測試探頭:   探針間距選購:1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購:碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針

售后及維修情況:

1、設備保修一年,終身服務,一年內(nèi)非人為損壞的零部件免費更換,保修期內(nèi)接到用戶邀請后, zui遲響應時間為2小時內(nèi),在與用戶確認故障后,我公司會在48小時內(nèi)派工程師到達現(xiàn)場進行免費服務,盡快查清故障所在位置和故障原因,并向用戶及時報告故障的原因和排除辦法 。
2、保修期內(nèi)人為損壞的零部件按采購(加工)價格收費更換。
3、保修期外繼續(xù)為用戶提供優(yōu)質(zhì)技術(shù)服務,在接到用戶維修邀請后3天內(nèi)派工程師到達用戶現(xiàn)場進行維修。并享有優(yōu)惠購買零配件的待遇?!?br />4、傳感器過載及整機電路超壓損壞不在保修范圍內(nèi)。

 

 

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