介質損耗因數(shù)測定儀實驗原理:

介電體（又稱電介質）zui基本的物理性質是它的介電性，對介電性的研究不但在電介質材料的應用上具有重要意義，而且也是了解電介質的分子結構和激化機理的重要分析手段之一，探索高介電常數(shù)的電介質材料，對電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)（又稱電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質極化能力越強，其介電常數(shù)就越大。測量介電常數(shù)的方法很多，常用的有比較法，替代法，電橋法，諧振法，表法，直流測量法和微波測量法等。各種方法各有特點和適用范圍，因而要根據材料的性能，樣品的形狀和尺寸大小及所需測量的頻率范圍等選擇適當?shù)臏y量方法。

介質損耗因數(shù)測定儀特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

標簽：介電常數(shù)測試儀

介電常數(shù)介質損耗因數(shù)測試儀

介質損耗因數(shù)角測試儀

裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

使用條件

①環(huán)境溫度： 0～40℃

②相對溫度：≤70%

③供電電流：交流 220V±10%50Hz

2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時

2.4 消耗功率：約 10W

2.5 外形尺寸：長寬深 355mm×320mm×145mm

2.6 重量：約 6kg(主機)